在数据大爆炸的时代, 人们对 SSD 容量的需求越来越多, 存储的容量面临着前所未有的挑战. 继 TLC 固态硬盘成为主流之后, 如今, QLC 闪存也闪亮登场, 满足了用户高密度容量的需求.
NAND 闪存有 SLC,MLC 及 TLC, 现在又多了 QLC
很多人都知道 NAND 闪存有 SLC,MLC 及 TLC, 现在又多了 QLC 闪存, 那么它们之间到底有多少区别呢?
SLC=Single-Level Cell, 每个 Cell 单元存储 1bit 信息, 也就是只有 0,1 两种电压变化, 结构简单, 电压控制也快速, 反映出来的特点就是寿命长, 性能强, P/E 寿命在 1 万到 10 万次之间, 但缺点就是容量低, 成本高, 毕竟一个 Cell 单元只能存储 1bit 信息.
MLC=Multi-Level Cell, 它实际上是跟 SLC 对应的, SLC 之外的 NAND 闪存都是 MLC 类型, 而我们常说的 MLC 是指 2bit MLC, 每个 cell 单元存储 2bit 信息, 电压有 000,01,10,11 四种变化, 所以它比 SLC 需要更复杂的的电压控制, 加压过程用时也变长, 意味着写入性能降低了, 同时可靠性也下降了, P/E 寿命根据不同制程在 3000-5000 次不等, 有的还更低.
TLC = Trinary-Level Cell, 即 3bit/cell, 每个单元可以存放比 MLC 多 1/2 的数据, 共八个充电值, 111,110,101,011,010,001,000.
最大特点就是速度慢寿命短, 约 500-1000 次擦写寿命, 但价格是三者最低的. 由于价格成本的原因, 目前被广泛运用于消费级 SSD 中.
QLC = Quad-Level Cell, 我们知道, TLC 闪存是每个 Cell 单元存储 3 位电荷, 有 8 种状态, QLC 闪存则是存储 4 位电荷, 有 16 种状态, 容量增加了 33%, 但是写入性能, P/E 寿命会再次减少.
从以上的介绍来看, QLC 闪存在读写速度上, 可靠性上相比其他三类闪存都有多下降, 那么, 为什么 QLC 还会受众多厂商青睐呢?
如今随着所要存储的数据越来越多, 也越来越大, 存储盘将会面临大数据前所未有的挑战, 这时候就需要大容量产品来存储. 所以, SSD 需要更廉价的闪存解决方案, 让大容量固态硬盘价格成本更低.
虽然目前寿命和性能是 QLC 闪存必然的缺点, 但是随着固态硬盘工艺的提升和发展, 让其缺点得到了很好的解决. 比如, 英特尔推出的 QLC 闪存直接使用 3D NAND 技术, P/E 寿命达到了 1000 次, 完全不输现在的 3D TLC 闪存.
大容量优势无法忽视, QLC 是大势所趋
面对全球闪存供不应求, SSD 价格高涨的情况, QLC 闪存的出现, 其更便宜的成本和更大容量的优势是厂商和消费者们无法忽视. 总之, 随着技术的不断发展和成熟, QLC 被广泛认可也是早晚的事情.
来源: http://biz.51cto.com/art/201807/579612.htm