相关研究指出, 如果以嵌入式 MRAM 取代微控制器中的 eFlash 和 SRAM, 可节省高达 90% 的功耗; 如果采用单一晶体管 MRAM 取代六个晶体管 SRAM, 则可实现更高的位元密度和更小的芯片尺寸, 这些功率与面积成本优势将使 MRAM 成为边缘侧设备的有力竞争者. 而相较于传统的 NAND 闪存, PCRAM 或 ReRAM 存储级存储器更可提供超过 10 倍以上的存取速度, 更适合在云端对资料进行存储.
MRAM 是一种非易失性存储技术, 该技术具备接近静态随机存储器的高速读取写入能力, 快闪存储器的非易失性, 容量密度和与 DRAM 几乎相同的使用寿命, 但平均能耗却远低于 DRAM, 而且可以无限次地重复写入.
MRAM 技术之所以受到业界追捧, 原因在于随着业界持续向更小技术节点迈进, DRAM 和 NAND 闪存 (Flash) 正面对着严苛的微缩挑战, MRAM 因此被视为有望取代这些内存芯片的独立内存组件. 考虑到 MRAM 具备快速读 / 写时间, 高耐受度以及强劲的保留能力, 也被视为极具吸引力的嵌入式技术, 适用于取代物联网 (IoT) 设备中的嵌入式闪存和 3 级高速缓存 SRAM.
它不是用来替代闪存的, 而是用来处理运算过程中产生的数据. MRAM 具有高速读写能力, 同时也能永久地保存数据, 所以它属于 RAM, 又能兼顾非易失性.
来源: http://www.bubuko.com/infodetail-3342631.html